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湿法去胶机的事情原理以及应用

湿法去胶工艺是微加工工艺历程中一个很是重要的工艺环节。在光刻工艺之后，我们往往需要面临显影后的底胶去除或者干法蚀刻工艺后变性的光刻胶的去除事情：

第一、调解合适的频率：频率越高，氧越易电离组成等离子体。频率太高，以致电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子磕碰概率反而减少，使电离率降低。通经常用频率为 13.56MHz及2.45GHZ 。

第二、调解合适功率：关于肯定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到肯定值，回声所能泯灭的活性离子抵达饱满，功率再大，去胶速度则无显著添加。由于功率大，基片温度高，所以应凭据技术需求调理功率。

第三、 调解适合的真空度：恰当的真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场取得的能量就大，有利电离。别确当氧气流量必守时，真空度越高，则氧的相对份额就大，爆发的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。

第四、 氧气流量的调解：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加速；但流量太大，则离子的复合概率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。若回声室压力稳定，流量增大，则被抽出的气体量也添加，其间尚没加入回声的活性粒子抽出量也随之添加， 因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显著。